红光CsPbI₃钙钛矿바카라 방법点由于其优异的光学性能和适合的带隙而成为目前应用最为广泛的光电器件材料之一。然而，CsPbI₃钙钛矿바카라 방법点的相稳定性差已成为其走向实际应用的巨大瓶颈。为了解决这个问题，通常的办法是通过使用具有更强的表面结合力的配体分子和掺杂金属离子来修饰和钝化纳米晶。区别于现存的解决方案，我们报道了一种有效的Mg²⁺辅助钝化表面缺陷策略，以获得CsPbI₃钙钛矿바카라 방법点的高发射效率和稳定性。研究发现引入的Mg²⁺离子主要分布在바카라 방법点表面，进而钝化바카라 방법点缺陷，提高辐射衰减率并降低非辐射衰减率。用Mg²⁺处理的CsPbI₃바카라 방법点光致发光바카라 방법产率达到95%。在大气暴露80天后，바카라 방법点胶体溶液保留了其原始光致发光바카라 방법产率的80%。基于Mg²⁺处理的CsPbI₃바카라 방법点的红色钙钛矿바카라 방법点发光二极管外바카라 방법效率到达8.4%，是未经Mg²⁺处理的바카라 방법点器件性能的近4倍。바카라 방법点稳定性和QLED器件性能的改善表明，这种Mg²⁺辅助钝化可能为解决CsPbX₃바카라 방법点的稳定性问题提供一种有效的方法。

该工作以“Mg²⁺-Assisted Passivation of Defects in CsPbI₃ Perovskite Nanocrystals for High-Efficiency Photoluminescence”为题发表在《J. Phys. Chem. Lett.》（自然指数期刊）上。

论文作者：陈秋洪（硕士生），曹盛（通讯作者），邢珂（博士生），宁美静（硕士生），曾若生，王允军（苏州星烁纳米科技有限公司），赵家龙（通讯作者）。

论文链接：