近日，孙文红教授领导的光电材料与器件하노이 카지노 바카라团队在宽波段光电探测器的性能하노이 카지노 바카라方面取得进展，하노이 카지노 바카라成果以"Two-Dimensional MoS₂ on p-Type GaN for UV-Vis Photodetectors"为题被《ACS Applied Nano Materials》杂志接收发表。

在这项하노이 카지노 바카라中，我们采用溶胶-凝胶法制备了厚度可控的MoS₂薄膜。所制备的胶体可以直接旋涂到各种基材（例如Si、SiO₂、GaN和蓝宝石）上，从而在退火后直接形成光滑的MoS₂薄膜。基于该技术，我们构建了包含n-MoS₂和p-GaN的二维MoS₂/p-GaN范德华（vdWs）异质结构光电探测器。MoS₂的高晶体质量和MoS₂/p-GaN异质结构p-n结的内部电场使光生载流子的有效分离成为可能，从而增强了电极在416 nm处的激子收集。这种配置实现了 35.6 A/W 的高光响应和200 ms的快速响应时间，超过了单一的MoS₂薄膜探测器。此外，当与p-GaN结合构建异质结后，光电探测器的响应光谱延伸到紫外区域，表现出令人印象深刻的8.4 A/W光响应和280 ms的快速响应时间。这显示出良好的协同效应。这些优异的特性使n-MoS₂/p-GaN异质结构光电探测器成为极具竞争力的下一代光电器件。

论文作者：杨宇飞（硕士生），孙文红（通信作者）。

论文链接：https://doi.org/10.1021/acsanm.3c03183。