近日，我院光电子材料与探测技术团队和中科院上海光机所夏长泰모바일 바카라员课题组合作，对Fe掺杂β-Ga₂O₃单晶微观结构及退火影响展开모바일 바카라，모바일 바카라论文以“Structural and electronic characteristics of Fe-doped beta-Ga2O3 single crystals and the annealing effects”为题被《Journal of Materials Science》杂志接收发表。

团队通过导模法生长了低浓度掺杂的Fe:β-Ga₂O₃单晶，并经过一系列结构和光学表征技术，모바일 바카라了Fe掺杂β-Ga₂O₃在掺杂前后晶体微观结构的变化，证明了Fe原子在替位掺杂时优先取代八面体Ga位。모바일 바카라对比了退火后费米能级和Fe3+自旋总数的改变，发现退火使费米能级下移，自旋总数减半，分析认为退火增强了β-Ga₂O₃晶体中Fe的俘获能力。结合上述结论可以更好的理解退火后电阻率升高的机理，为Fe掺杂β-Ga₂O₃单晶半绝缘性能的形成及优化提供了参考。

论文链接：DOI: 10.1007/s10853-021-06027-5。

论文作者：张乃霁（硕士生），刘皓月（硕士生），赛青林（中科院上海光学精密机械모바일 바카라所），邵冲云（中科院上海光学精密机械모바일 바카라所），夏长泰（中科院上海光学精密机械모바일 바카라所），万玲玉（通讯作者），冯哲川，H. F. Mohamed（埃及苏哈贾大学）。