近日，孙文红教授领导的光电材料与器件아이폰 모바일 바카라团队在大斜切角氮化铝薄膜的高温退火微观机理아이폰 모바일 바카라方面取得进展，论文以“Quality improvement mechanism of sputtered AlN films on sapphire substrates with high‐miscut‐angles along different directions”为题被《CrystEngComm》杂志接收发表。

高质量的氮化铝薄膜是制备高质量深紫外发射器件的关键。由于衬底材料和生产成本的限制，外延氮化铝薄膜具有较高的位错，而且晶体质量通常与基板的错切角度和方向有关。因此，如何以低成本、高效率地获得高质量薄膜成为半导体领域的一个挑战。

本文将磁控溅射技术与热退火技术相结合，探索了不同取向大错切角氮化铝薄膜的退火机理。高分辨率X射线衍射（XRD）测试表明，晶体质量的提高与衬底的错切角和错取向有关。此外，在大错切角薄膜的退火过程中发现了两个重要现象：（0002）和（10-12）以及E₂（high）声子峰的半高宽和位置随退火温度的变化而变化。这些现象与退火过程中缺陷和杂质的演化有关。拉曼光谱、扫描电子显微镜（SEM）、光致发光（PL）和X射线光电子能谱（XPS）进一步揭示了退火过程中缺陷和杂质演化的本质。

本工作获得了高质量大错切角氮化铝薄膜的最佳衬底取向，揭示了退火提高薄膜质量的本质，对薄膜外延生长具有一定的指导意义。

论文作者：薛洋（硕士生）, Maosong Sun（博士生）, Xu Li（硕士生）, Ting Liu, Yong Lu,，Jie Chen（硕士生）, Yi Peng（博士生）, Mudassar Maraj（博士后）, Jicai Zhang（通信作者）, 孙文红（通信作者）。

论文链接：https://doi.org/10.1039/D1CE00654A