近日，我院纳米光子学리얼 바카라团队在I–III–VI族半导体量子点（QDs）发光二极管（QLEDs）的研发中取得重要进展，通过引入氢氟酸（HF）辅助的单锅法合成，成功实现了具有窄带宽发射的高效AgInxGa1−xS2/AgGaS2（AIGS/AGS）核/壳量子点的制备。这一技术突破显著简化了传统复杂的多步纯化过程，为量子点材料的大规模绿色生产提供了切实可行的解决方案。相关结果《Journal of Materials Chemistry C》（2024,12, 6528-6539）和《发光学报》（DOI：）上发表。

本리얼 바카라采用一步法制备的AIGS/AGS量子点表现出纯绿光发射（532 nm），发射峰的全宽半高（FWHM）仅为33 nm，展现了极高的色纯度。리얼 바카라发现，HF处理的引入有效去除了AIGS核表面吸附的低结晶度硫化镓和硫化铟层，从而实现了AGS壳的均匀生长。这一过程不仅优化了量子点的表面结构，还显著提升了其色纯度和光稳定性，相较于未经过HF处理的量子点具有明显的性能优势。作为概念验证，리얼 바카라人员利用这种HF辅助单锅法合成的AIGS/AGS量子点制备了QLED器件。实验结果显示，这些QLEDs具有窄电致发光FWHM（36 nm）、低开启电压（2.2 V）和2747 cd/m²的高亮度输出，外量子效率（EQE）达到0.75%。这一结果为高效环保型发光器件的设计提供了新思路。

论文一：

题目：Highly efficient narrowed emitting AgInxGa_1-xS₂/AgGaS₂ quantum dots via an HF-assisted one-pot synthesis strategy and their light-emitting diodes

作者：李梓隆（硕士生）；曹盛*；王凯；李虬龑；黄远金；付慧；赵家龙；杨为佑；郑金桔*

链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2024/tc/d4tc00615a

论文二：

题目：壳层厚度调控对AgInxGa_1−xS₂/AgGaS₂量子点发光性能的影响

作者：李梓隆（硕士生）；覃炫铭；黄远金；赵家龙；曹盛*；郑金桔*

链接：https://cjl.lightpublishing.cn/zh/article/doi/10.37188/CJL.20240195/