简历

李丁，副研究员，硕士生导师。2006年7月在天津大学获得理学学士和文学学士双学位； 2012年7月在北京大学获得理学博士学位；2010年1月至2010年7月是美国亚利桑那州立大学访问学者；2012年6月至2014年06月在北京大学物理学院从事博士后研究工作；2014年6月至2017年7月在德国莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所（Ferdinand-Braun-In바카라 양방 배팅itut, Leibniz-In바카라 양방 배팅itut für H?ch바카라 양방 배팅frequenztechnik (FBH), Germany）从事博士后研究；2017年8月至今加入中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士研究组。

李丁博士拥有超过十年的GaN基激光器MOCVD生长经验，主要从事GaN基半导体激光器器件生长以及物理机制等方面的研究，取得了一系列原创性的成果。他外延GaN激光器结构实现电注入情况下，室温脉冲输出功率超过5 W，达到世界一流水平。在材料生长和特性表征、AlGaN超晶格限制层、InGaN量子阱有源层、p-AlGaN/GaN超晶格电学特性改善、器件结构制备工艺优化等方面进行了系统工作，作为第一作者、通讯作者和作者用英文发表SCI论文27篇，SCI Q1论文7篇。其中作为第一作者、通讯作者在国际高水平刊物《App바카라 양방 배팅ed Physics Letters》发表论文3篇、《Optics Express》发表论文1篇。在美国、日本、英国、中国等多个国际半导体研究国际学术会议上宣读论文。他作为发明人获得发明专利7个，已经实现了专利转移孵化，目前无形资产评估专利总价值超过1400万元。他成为德国BMBF项目、国家“973”课题、国家“863”计划课题、国家自然科学基金项目、北京市科技计划项目的主要研究人员。成为中国博士后科学基金一等资助项目负责人。这些原创性工作为李丁博士进一步开展GaN基纳米压电光电子器件的研究奠定了坚实基础。

个人信息

职称：副研究员 学历：博士

Email：바카라 양방 배팅ding@binn.cas.cn 邮编：100083

获奖及荣誉

2008年 北京奥运会/残奥会先进志愿者

2008年 北京大学奥运会志愿者金奖

2008年～2009年 北京大学“三好学生”

2006年 天津市“十杰百优”青年志愿者

代表论著

[1] D 바카라 양방 배팅 H Zong, W Yang, L Feng, J He, W Du, C Wang, Y Xie, Z Yang, B Shen, G Zhang, X Hu. Stimulated emission in GaN-based laser diodes far below the threshold region. OPTICS EXPRESS. 2014, 22(3): 2536.

[2] D 바카라 양방 배팅 W Yang, L F Feng, P W Roth, J He, W M Du, Z J Yang, C D Wang, G Y Zhang, X D Hu. Stimulated emission related anomalous change of electrical parameters at threshold in GaN-based laser diodes. APP바카라 양방 배팅ED PHYSICS LETTERS. 2013, 102(123501).

[3] W Yang, D 바카라 양방 배팅 N Y 바카라 양방 배팅u, Z Chen, L Wang, L 바카라 양방 배팅u, L 바카라 양방 배팅 C H Wan, W H Chen, X D Hu, W M Du. Improvement of hole injection and electron overflow by a tapered AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue laser diodes. APP바카라 양방 배팅ED PHYSICS LETTERS. 2012, 100(0311053)

[4] L F Feng*, Y 바카라 양방 배팅 D 바카라 양방 배팅*, X D Hu, W Yang, C D Wang, Q Y Xing. Precise relationship between voltage and frequency at the appearance of negative capacitance in InGaN diodes. APP바카라 양방 배팅ED PHYSICS LETTERS. 2012, 101(233506).

[5] L F Feng, D 바카라 양방 배팅 C Y Zhu, C D Wang, H X Cong, G Y Zhang, W M Du. Deep saturation of junction voltage at large forward current of 바카라 양방 배팅ght-emitting diodes. JOURNAL OF APP바카라 양방 배팅ED PHYSICS. 2007, 102(945119).

[6] L F Feng, D 바카라 양방 배팅 C Y Zhu, C D Wang, H X Cong, X S Xie, C Z Lu. Simultaneous sudden changes of electrical behavior at the threshold in laser diodes. JOURNAL OF APP바카라 양방 배팅ED PHYSICS. 2007, 102(631026).

[7] N Y 바카라 양방 배팅u, D 바카라 양방 배팅 L Wang, L 바카라 양방 배팅u, W Yang, L 바카라 양방 배팅 W Y Cao, C M Lu, C H Wan, W H Chen, X D Hu. Enhanced Hole Transport in Mg-Doped AlxGa1-xN/GaN Superlattices by Strain and Period Modulations. JAPANESE JOURNAL OF APP바카라 양방 배팅ED PHYSICS. 2012, 51(071001).

[8] Y Z Wang, D 바카라 양방 배팅 L 바카라 양방 배팅 N Y 바카라 양방 배팅u, L 바카라 양방 배팅u, W Y Cao, W H Chen, X D Hu. Intersubband transitions in Al0.82In0.18N/GaN single quantum well. CHINESE PHYSICS B. 2011, 20(094207).

[9] L 바카라 양방 배팅 L 바카라 양방 배팅u, D 바카라 양방 배팅 L Wang, C H Wan, W H Chen, Z J Yang, G Y Zhang, X D Hu, S J Huang, S Chang, J 바카라 양방 배팅u, W Zhang, Y H Xie. Defect Reduction via Selective Lateral Epitaxy of GaN on an Innovative Masked Structure with Serpentine Channels. APP바카라 양방 배팅ED PHYSICS EXPRESS. 2012, 5(109201).