近日，我院计算材料团队关于纳米晶粒形核长大的아이폰 모바일 바카라论文在Journal Materials Science & Technology网上正式发表，全文已公布在https://doi.org /10.1016/j.jmst.2020.01.030。

论文作者：高英俊，邓芊芊（博），刘哲源，李依轩，黄宗吉，罗志荣。

纳米晶的形核长大，一直是材料学家关注的热点，但其形核长大的模式机理仍然不清楚。本工作应用先进的晶体相场模型아이폰 모바일 바카라纳米晶界位错的协同运动和晶粒长大机理。아이폰 모바일 바카라发现存在三种形核长大模式：晶界劈裂模式、晶界位错反应模式、晶界旋转模式。其中第二种模式呈现出与常规情况不同的新现象，发生晶界位错反应，出现了结构带隙；晶粒以位错协同滑移方式长大，速率与时间平方根成正比，并形成局域塑性流动。아이폰 모바일 바카라结果与实验结果相符合。

界面的晶格原子位错缺陷结构，对纳米器件异质界面的原子晶格结构产生重要影响，本아이폰 모바일 바카라成果对纳米晶材料的晶界转变设计有重要指导意义。