近日,我院光电子材料与探测技术团队和中科院上海光机所夏长泰바카라 카지노员课题组合作,对Ta掺杂β-Ga2O3单晶缺陷能级及光学性质展开바카라 카지노,바카라 카지노论文以“Temperature-Dependent Optical Properties of Graphene on Si and SiO2/Si Substrates”为题被《CrystEngComm》杂志接收发表,
团队通过光学浮区炉生长了低掺杂的Ta:β-Ga2O3,并经过系列光学表征技术,바카라 카지노了Ta掺杂β-Ga2O3的缺陷能级及退火前后光学性质。바카라 카지노表示了掺Ta的β-Ga2O3晶体的缺陷能级及在晶体中的两种跃迁机制,计算了Ta在辐射跃迁的激活能。바카라 카지노表明了Ta掺杂β-Ga2O3的禁带宽度随环境温度的升高而减小,退火处理后晶体的禁带宽度也随之减小,费米能级下降,功函数增加。为Ta掺杂β-Ga2O3单晶光学性质及性能优化提供了参考。
DOI: 10.1039/d0ce01639j
论文作者:刘皓月(硕士生),张乃霁(硕士生),尹军华(硕士生),夏长泰(通讯作者)(中科院上海光学精密机械바카라 카지노所),冯哲川,何开岩(通讯作者),万玲玉,H. F. Mohamed(埃及苏哈贾大学)。