近日，我院光电子材料与探测技术团队和中科院上海光机所夏长泰바카라 카지노员课题组合作，对Ta掺杂β-Ga₂O₃单晶缺陷能级及光学性质展开바카라 카지노，바카라 카지노论文以“Temperature-Dependent Optical Properties of Graphene on Si and SiO2/Si Substrates”为题被《CrystEngComm》杂志接收发表，

团队通过光学浮区炉生长了低掺杂的Ta:β-Ga₂O₃，并经过系列光学表征技术，바카라 카지노了Ta掺杂β-Ga₂O₃的缺陷能级及退火前后光学性质。바카라 카지노表示了掺Ta的β-Ga₂O₃晶体的缺陷能级及在晶体中的两种跃迁机制，计算了Ta在辐射跃迁的激活能。바카라 카지노表明了Ta掺杂β-Ga₂O₃的禁带宽度随环境温度的升高而减小，退火处理后晶体的禁带宽度也随之减小，费米能级下降，功函数增加。为Ta掺杂β-Ga₂O₃单晶光学性质及性能优化提供了参考。

DOI: 10.1039/d0ce01639j

论文作者：刘皓月（硕士生），张乃霁（硕士生），尹军华（硕士生），夏长泰（通讯作者）（中科院上海光学精密机械바카라 카지노所），冯哲川，何开岩（通讯作者），万玲玉，H. F. Mohamed（埃及苏哈贾大学）。