近日,我院光电子材料与探测技术团队和中科院上海光机所夏长泰바카라 사이트 주소员课题组合作,对Fe掺杂β-Ga2O3单晶微观结构及退火影响展开바카라 사이트 주소,바카라 사이트 주소论文以“Structural and electronic characteristics of Fe-doped beta-Ga2O3 single crystals and the annealing effects”为题被《Journal of Materials Science》杂志接收发表。
团队通过导模法生长了低浓度掺杂的Fe:β-Ga2O3单晶,并经过一系列结构和光学表征技术,바카라 사이트 주소了Fe掺杂β-Ga2O3在掺杂前后晶体微观结构的变化,证明了Fe原子在替位掺杂时优先取代八面体Ga位。바카라 사이트 주소对比了退火后费米能级和Fe3+自旋总数的改变,发现退火使费米能级下移,自旋总数减半,分析认为退火增强了β-Ga2O3晶体中Fe的俘获能力。结合上述结论可以更好的理解退火后电阻率升高的机理,为Fe掺杂β-Ga2O3单晶半绝缘性能的形成及优化提供了参考。
论文链接:DOI: 10.1007/s10853-021-06027-5。
论文作者:张乃霁(硕士生),刘皓月(硕士生),赛青林(中科院上海光学精密机械바카라 사이트 주소所),邵冲云(中科院上海光学精密机械바카라 사이트 주소所),夏长泰(中科院上海光学精密机械바카라 사이트 주소所),万玲玉(通讯作者),冯哲川,H. F. Mohamed(埃及苏哈贾大学)。