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2021年신규 바카라 사이트进展系列之37:我院光电材料与器件신규 바카라 사이트团队在大斜切角氮化铝薄膜的高温退火微观机理신규 바카라 사이트方面取得进展
2021-09-01 09:21  

近日,孙文红教授领导的光电材料与器件신규 바카라 사이트团队在大斜切角氮化铝薄膜的高温退火微观机理신규 바카라 사이트方面取得进展,论文以“Quality improvement mechanism of sputtered AlN films on sapphire substrates with high‐miscut‐angles along different directions”为题被《CrystEngComm杂志接收发表

高质量的氮化铝薄膜是制备高质量深紫外发射器件的关键。由于衬底材料和生产成本的限制,外延氮化铝薄膜具有较高的位错,而且晶体质量通常与基板的错切角度和方向有关。因此,如何以低成本、高效率地获得高质量薄膜成为半导体领域的一个挑战。

本文将磁控溅射技术与热退火技术相结合,探索了不同取向大错切角氮化铝薄膜的退火机理。高分辨率X射线衍射XRD测试表明,晶体质量的提高与衬底的错切角和错取向有关。此外,在错切角薄膜的退火过程中发现了两个重要现象:000210-12以及E2high声子峰的半高宽和位置随退火温度的变化而变化。这些现象与退火过程中缺陷杂质的演化有关。拉曼光谱、扫描电子显微镜SEM、光致发光PLX射线光电子能谱XPS进一步揭示了退火过程中缺陷杂质演化的本质。

本工作获得了高质量大错切角氮化铝薄膜的最佳衬底取向,揭示退火提高薄膜质量的本质,对薄膜外延生长具有一定的指导意义。


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论文作者:薛洋(硕士生), Maosong Sun(博士生), Xu Li(硕士生), Ting Liu, Yong Lu,,Jie Chen(硕士生), Yi Peng(博士生), Mudassar Maraj(博士后), Jicai Zhang(通信作者), 孙文红(通信作者)。

论文链接:https://doi.org/10.1039/D1CE00654A


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