近日，我院纳米能源바카라 무료 게임中心团队开展了稀土Sm元素掺杂增强单层MoS₂的电学性能及其光电探测器性能调控的바카라 무료 게임，바카라 무료 게임成果“以Enhanced electrical performance of monolayer MoS₂ with rare earth element Sm doping”为题发表在《nanomaterials》期刊上。

本바카라 무료 게임采用化学气相沉积法生长稀土元素钐（Sm）掺杂单层MoS₂薄膜。 바카라 무료 게임发现，Sm离子在MoS₂单层中引入p型掺杂，改变了MoS₂的能带结构以及电学性能。 Sm掺杂提高了单层MoS₂:Sm基场效应晶体管(FET)的电学性能，其中，阈值电压从-12 V移动到0 V，开关电流比提高了500%，迁移率提高40%。 这项工作对稀土元素掺杂二维TMDCs材料的基础바카라 무료 게임及应用具有重要意义。

该工作获得广西人才专项基金，广西大学高层次人才启动项目，广西大学纳米能源中心，广西有色金属及特色材料加工重点实验室等资助。

论文作者：李世杰（硕士生），田时代（硕士生），姚远（博士生），贺梦（硕士生），陈黎（通讯作者），张岩（通讯作者），翟俊宜（通讯作者）。

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