近日，我院纳米能源바카라 페어 배팅中心团队开展了AlGaN基深紫外发光二极管器件温度与器件光、电、热等特性关系，特别是器件高理想因子起源的바카라 페어 배팅，바카라 페어 배팅成果以“Temperature-dependent study on AlGaN based deep ultraviolet light-emitting diode for the origin of high ideality factor”为题发表在《AIP Advances》期刊上。

本바카라 페어 배팅开发了一种简单、方便的方法对280 nm AlGaN基DUV LED进行了바카라 페어 배팅。在一次测量中，获得了器件电学、光学和热学特性。实验上，바카라 페어 배팅发现AlGaN基DUV LED的光输出功率和光电转化效率受器件温度、理想因子(β)和串联电阻(Rs)的影响很大。对比模拟结果，我们认为器件内部的高势垒和n型或p型层中的载流子浓度，尤其是p型层中的空穴浓度是理想因子高的两个关键因素。我们建议：在器件设计时，需要权衡考虑器件温度在载流子运输和溢出之间的作用。

该工作获得国家自然科学基金、国家重点研发计划、北京市科技计划等资助。

论文作者：廖燕君（硕士生），李丁（通讯作者），郭齐（硕士生），刘宇峰（硕士生），王海铭，胡卫国（通讯作者），王中林。

论文链接：https://doi.org/10.1063/5.0059256