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2021年学术进展系列之98:我院纳米能源바카라 확률中心团队在利用压电光电电子效应增强氮化镓基发光二极管的热损耗바카라 확률取得进展
2021-12-27 12:09  

近日,我院纳米能源바카라 확률中心团队开展了硅基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的压电效应调自热效应的바카라 확률,바카라 확률成果以Enhanced Heat Dissipation in Gallium Nitride-Based Light-Emitting Diodes by Piezo-phototronic Effect为题发表在Nano Letters》期刊上

本바카라 확률利用高分辨率红外热成像上述LED不同应变下的注入电流和结温的面内分布进行了可视化바카라 확률揭示了LED的温度空间分布,并首次证明了压电光电效应有效地抑制了温度增量。我们观察了外部应变补偿下LED阵列的温度场和电流密度分布。바카라 확률发现,外加应变能有效提高辐射复合效率,减小自热效应。与传统的无应变LED器件相比,在6 V7 V偏置电压下,0.1%外加应变下LED的工作温度分别降低了50.00%47.62%。这项工作清晰地揭示了压电光效应调节LEDs中电流注入、载流子复合和自加热效应的机理,为解决大功率发光二极管(HPLEDs)照明和显示器的散热和热管理问题提供了一种新的解决方案。


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该工作获得国家研发计划项目(2016YFA0202703)国家自然科学基金项目(61904012)、北京市自然科学基金项目(4204114)、广西八桂人才项目(T3120097921T31200992001),人才模式基地计划项目(AD19110157)等资助。

论文作者:郭齐硕士生),李丁副바카라 확률员),化麒麟副바카라 확률员),季科宇(硕士生)孙文宏(通讯作者)胡卫国(通讯作者),王中林(通讯作者)

论文链接:10.1021/acs.nanolett.1c00999

 

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