近日，孙文红教授领导的光电材料与器件바카라 크로스 배팅团队在远深紫外发光二极管的可靠性바카라 크로스 배팅方面取得进展，바카라 크로스 배팅成果以"Defect Behavior on the Degradation of AlGaN-Based 234 nm LEDs"为题被《IEEE Transactions on Electron Devices》杂志接收发表。

AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LEDs）与传统汞灯相比具有诸多优点，被广泛应用于紫外固化、杀菌消毒、非视距通信等方面。但受限于材料特性以及器件制备工艺等问题，其发光效率和可靠性与蓝光LED相比较低，为解决此问题，바카라 크로스 배팅人员对AlGaN DUV LED的可靠性展开了广泛바카라 크로스 배팅。

本论文中，我们通过光学和电学表征相结合，对234 nm AlGaN远深紫外（far-UVC）LED在20 mA恒定电流应力下的退化进行了深入바카라 크로스 배팅。바카라 크로스 배팅表明光功率的显著退化主要与有源区中能级为Ev+(0.201-0.243 eV)的空穴缺陷"h₁"变化为能级为Ev+0.624 eV的缺陷"h₂"有关，该变化被描述为Mg从Mg_Ga中分离产生V_Ga与其他缺陷结合形成V_Ga相关复合物缺陷，这些复合物缺陷作为非辐射复合中心可以降低注入效率，并直接导致光功率的降低。n侧中V_N缺陷"e₂"浓度的上升表明材料晶体质量的进一步恶化。漏电流出现微弱上升，主要与空穴缺陷"h₃"浓度的增加有关。本文中的缺陷바카라 크로스 배팅为制备更高可靠性的AlGaN far-UVC LED提供了一定的参考。

论文作者：李敏（硕士生），苏孟玮（博士生），陈志强（硕士生），邓少东（硕士生），朱兴林（硕士生），郑刚（硕士生），杨宇飞（硕士生），吴伟（硕士生），邓荐宇（通讯作者），孙文红（通讯作者）

论文链接：https://doi.org/10.1109/TED.2023.3335039。