我院蓝色能源태국 바카라团队在高性能自驱动紫外光电探测器方面的태국 바카라中取得进展，태국 바카라成果以"Inverted-Structural Self-Powered GaN/PZT/ITO UV Photodetector Enhanced by Ferroelectric Modulation"为题在《Advanced Electronic Materials》杂志上发表。

第三代宽带隙半导体GaN是制造紫外光电探测器的优秀候选材料之一，然而由于构建强内建电场以及抑制暗电流的技术难题，高性能GaN基自驱动紫外光电探测器仍然缺乏。我院蓝色能源团队与西安电子科技大学彭彪林教授合作，提出了基于铁电材料调控的高性能自驱动紫外光电探测器。采用溶胶-凝胶法制备了n-GaN/Pb(Zr_0.2Ti_0.8)O₃异质结，构建了一个由铁电性质调制增强的倒装式自驱动紫外光探测器。在30 V极化后，倒装式GaN/PZT/ITO通过增强的PZT退极化场（E_dp）和GaN/PZT异质结的内置电场（E_GaN/PZT）有效耦合作用，展现了出色的紫外光检测性能。在365 nm光照下，其光电流响应相较于未极化状态增大了40倍，最大光暗比（I_light/I_dark）达到了3.07×10⁷，响应时间高达0.51/0.57 ms，响应率(R)和检测率（D*）分别为176 mA W⁻¹和6.94×10¹³ jones。该策略为高性能GaN基自驱动紫外光电探测器的设计提供了一种简单可行的方案。

论文作者：陈政帮（硕士生），林显琦（硕士生），林水秀（硕士生），任金龙（博士生），万玲玉（通讯作者），彭彪林（通讯作者）

论文链接：https://doi.org/10.1002/aelm.202300588