光电材料与探测技术카지노 바카라 사이트团队以及纳米能源카지노 바카라 사이트中心与苏州纳米与仿生카지노 바카라 사이트所、长春光学精密机械物理카지노 바카라 사이트所、美国北佛罗里达大学、美国肯尼索州立大学合作，카지노 바카라 사이트了含有量子点结构的绿光InGaN-LED的载流子复合动力学。本工作以“Carrier recombination dynamics in green InGaN-LEDs with quantum-dot-like structures”为题发表在SCI二区刊物Journal of Materials Science(09.29.2020)。

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论文作者；田明(카지노 바카라 사이트生),马藏敏(카지노 바카라 사이트生),林涛*,刘建平(苏州纳米与仿生카지노 바카라 사이트所),Devki N. Talwar(美国北佛罗里达大学),杨辉(苏州纳米与仿生카지노 바카라 사이트所),曹杰华(大学生),黄馨莹(大学生),牛文龙(카지노 바카라 사이트生),Ian T. Ferguson(美国肯尼索州立大学),万玲玉,冯哲川*。

本文深入카지노 바카라 사이트了在C-轴蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积法制备的含量子点结构的InGaN/GaN多量子阱绿光InGaN-LED及其可变温度稳态光致发光(PL)和时间分辨光致发光(TRPL)的光谱结果。讨论考虑了激子局域化现象,自由载流子复合的影响不容忽视。由于内掺InGaN量子点中的强局域态增强了激子的局域化，提高了内量子效率。通过精细地包含局域激子、非辐射和自由载流子复合速率的模型，解释了TRPL测量中观测到的非指数衰变。提出了一种计算内量子效率的新方法，它是对传统的基于温度相关光致发光测量的方法的补充与发展。