光电材料与探测技术바카라 카드 게임团队与长春光学精密机械物理바카라 카드 게임所、北佛罗里达大学、肯尼索大学南部工程技术学院合作，바카라 카드 게임了异质衬底对表面形貌，晶体结构和光学性质的影响。该工作以“Comparative spectroscopic studies of MOCVD grown AlN films on Al₂O₃ and 6H–SiC”为题发表在SCI二区刊物Journal of Alloys and Compounds (2020)。

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论文作者：尹军华(바카라 카드 게임生)，陈代华(바카라 카드 게임生)，杨洪(바카라 카드 게임生)，刘瑶(讲师)，Devki N. Talwar(美国北佛罗里达大学)，何天龙(바카라 카드 게임生)，Ian T. Ferguson (美国肯尼索州立大学),何开岩*，万玲玉 和 冯哲川*。

该바카라 카드 게임利用X射线衍射光谱、X射线光电子能谱、拉曼散射光谱、透射光谱、椭圆偏振光谱、光致发光光谱和原子力显微镜等多类型检测手段，测定了通过金属有机化学气相沉积法在C面蓝宝石和6H-SiC上生长AlN薄膜的表面粗糙度、位错密度、晶粒尺寸、微应变、表面氧化膜的厚度、表面化学组分、拉曼光谱线宽以及带隙，系统的讨论了不同衬底上生长的AlN薄膜的表面形貌、微观结构和光学性能之间的差异，重点바카라 카드 게임了在低温到高温下衬底对AlN薄膜双轴应力的影响。变温拉曼光谱及精细分析揭示了一个吸引人的现象，随着温度从80K 到800K的升高，AlN薄膜中的双轴应力由压应力转变为拉应力, AlN/Al2O3薄膜中的双轴应力比AlN/SiC有更高的温度拐点。这一工作为氮化铝薄膜材料在光电子器件中的应用提供了很好的参考与借鉴。